|
|
Получившая название FeRAM (Ferroelectric RAM – ферроэлектрическая ОЗУ), новая технология позволит строить чипы, сохраняющие информацию даже после отключения питания. Другим достоинством FeRAM является низкая энергоёмкость: она потребляет значительно меньше энергии, нежели используемые сегодня чипы DRAM и SRAM, допуская неограниченное количество операций считывания и записи (в отличие, к примеру, от flash-памяти). Среди последних достижений микроэлектронной промышленности известен функциональный аналог FeRAM – MRAM, магнитная память. Над ней активно работает IBM и всё та же Infineon. MRAM также сохраняет данные после снятия рабочего напряжения, но работает медленней FeRAM. Впрочем, что именно победит в конце концов – пока судить трудно, поскольку ни та, ни другая технология ещё не вышли за стены лабораторий. Общая стоимость разработки FeRAM по предварительным оценкам достигнет 60 млн. долларов. А первые чипы будут выпущены на рынок к концу 2002 года и применяться будут в мобильных телефонах и других переносных цифровых устройствах. Источник: Журнал "Компьютерра" |
|