|
|
Диоды Шоттки основаны на эффекте образования потенциального барьера на границе между металлом и полупроводником и характеризуются малым временем переключения. Карбид кремния является идеальным материалом для мощных высоковольтных полупроводниковых приборов. Он обладает рядом существенных преимуществ по сравнению с традиционным кремнием или арсенидом галлия: более высоким барьером Шоттки, в десять раз более высоким напряжением пробоя и высокой теплопроводностью, сравнимой с теплопроводностью алмаза. Это позволило создать высокочастотные диоды с малым током утечки, малым сопротивлением и высокой плотностью тока. Применение почти не имеющих потерь быстропереключающихся диодов позволяет повысить частоту преобразования напряжения в блоках питания. На высокой частоте можно использовать пассивные компоненты (такие как трансформаторы и конденсаторы) значительно меньших размеров, и заметно снизить стоимость всей системы. Источник: Журнал "Компьютерра" |
|