15.01.2004

Intel займется нанотехнологиями



Дон Кларк

         Корпорация Intel, сталкивающаяся, как и другие производители микросхем, с естественными ограничениями традиционных полупроводниковых технологий, всерьез рассматривает альтернативные пути развития. В частности, корпорация вступила в партнерство с молодой калифорнийской компанией Nanosys, специализирующейся на таком многообещающем направлении, как нанотехнологии.

        Nanosys - одна из компаний, предлагающих использовать элементы вычислительных схем на базе микроскопических нитевидных структур из кремния и других полупроводниковых материалов. По размерам такие структуры сопоставимы с отдельными молекулами. Теоретически микросхемы на подобной основе могут оказаться намного эффективнее традиционных чипов. Intel планирует применить разработки Nanosys в своих продуктах.

        Лора Андерсон, представительница Intel, сообщила, что соглашение между двумя компаниями предусматривает сотрудничество в области разработки устройств памяти и совместное использование патентов в течение определенного срока. "Пока речь идет лишь об этапе исследований", - добавила Андерсон. Представители обеих компаний отказались предоставить более подробные комментарии.

        Intel всеми силами стремится повысить плотность размещения транзисторов на единице площади своих микросхем. Повышение плотности позволяет увеличить быстродействие и емкость памяти, снизив при этом энергопотребление. Сейчас Intel только начинает массовое производство микрочипов с размерами элементов 90 нм. Корпорация продемонстрировала технологию, позволяющую уменьшить размеры элементов до 22 нм, однако массовое производство такой продукции будет возможно не раньше 2010 г.

        Трудности подобной миниатюризации связаны с физической сущностью фотографического процесса, применяемого при построении микросхемы на кремниевой пластине. Между тем сторонники нанотехнологий предлагают принципиально иной подход к проблеме - для построения миниатюрных элементов они применяют не привычную фотолитографию, а химические процессы, протекающие в микроскопических емкостях. В частности, предполагается, что нитевидные наноструктуры позволят создавать транзисторы размером в несколько нанометров. Как утверждает Филип Кьюкес, ведущий системный архитектор Hewlett-Packard, с помощью подобной технологии эта корпорация изготовила запоминающее устройство, десятикратно превосходящее обычные микросхемы памяти по эффективности.

        Исследователи надеются также найти полезное применение ряду свойств, появляющихся у материалов при уменьшении размеров. Так, некоторые виды микрокристаллов меняют характеристики излучаемого ими света при изменении размеров, а их способность проводить электроны, по данным специалистов Nanosys, выше, чем у традиционных полупроводниковых материалов.

        "Интерес к нам со стороны компаний вроде Intel объясняется появлением принципиально новых возможностей по целенаправленному изменению свойств материалов", - говорит Стивен Эмпедоклз, один из основателей Nanosys, занимающий в компании должность директора по развитию бизнеса.

        Nanosys - компания закрытого типа, в штате которой состоят многие из пионеров в области нанотехнологий. Компания уже привлекла инвестиции в размере $70 млн. В прошлом году объем инвестиций составил $38 млн, в этой сумме есть и доля Intel. Совместно с Matsushita Electric Works американская компания занимается использованием солнечной энергии. По словам Эмпедоклза, партнеры планируют разработать и к 2006 г. запустить в производство солнечные батареи для размещения на крышах зданий.

        В свою очередь Intel исследует и другие альтернативы традиционным полупроводниковым технологиям. Так, в 1999 г. корпорация инвестировала средства в норвежскую компанию Opticom, работающую над созданием модулей памяти на базе гибких полимеров. С 2000 г. Intel сотрудничает с Ovonyx в разработке памяти на базе аморфных соединений. (WSJ, 14. 01. 2004, Александр Сафин)



Источник: Ведомости